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SI7121ADN-T1-GE3  与  BSZ120P03NS3E G  区别

型号 SI7121ADN-T1-GE3 BSZ120P03NS3E G
唯样编号 A36-SI7121ADN-T1-GE3-1 A-BSZ120P03NS3E G
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P Channel 30 V 15 mO 3.5 W TrenchFET Power Mosfet - PowerPak 1212-8 (3x3)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 21mΩ 9mΩ
上升时间 - 11ns
漏源极电压Vds 2.5V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.5W(Ta),27.8W(Tc) 52W
Qg-栅极电荷 - 45nC
栅极电压Vgs ±25V 25V
正向跨导 - 最小值 - 22S
典型关闭延迟时间 - 23ns
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 PowerPak1212-8 -
连续漏极电流Id 18A 40A
工作温度 -50°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 TrenchFET® OptiMOSP3
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1870pF @ 15V -
长度 - 3.3mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 13ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 398 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.0889
100+ :  ¥1.683
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI7121ADN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 12A(Ta) ±25V 3.5W(Ta),27.8W(Tc) 15m Ohms@7A,10V -50°C~150°C(TJ) PowerPAK® 1212-8 PowerPak1212-8 30V 18A 21mΩ 2.5V

¥2.0889 

阶梯数 价格
30: ¥2.0889
100: ¥1.683
398 当前型号
AON7401 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -35A 29W 14mΩ@10V

暂无价格 0 对比
BSZ120P03NS3E G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ120P03NS3EGATMA1_30V 40A 9mΩ 25V 52W P-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AON7401 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -35A 29W 14mΩ@10V

¥2.3793 

阶梯数 价格
5,000: ¥2.3793
0 对比
AON7401 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -35A 29W 14mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRFHM9331TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±25V 2.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 10mΩ@11A,20V P-Channel 30V 11A PQFN(3x3)

暂无价格 0 对比

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